sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей Политикой Конфиденциальности
Согласен
Поиск:

Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

Яндекс.Метрика
R&W
 
 
Вход:

Ваш e-mail:
Пароль:
 
Регистрация
Забыли пароль?
Книги по аналитике
Под ред. Е.К. Белоглазкиной, В.Г. Ненайденко, И.П. Белецкой
Лебедев А.Т., Артеменко К.А., Самгина Т.Ю.
Другие серии книг:
Мир химии
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир наук о Земле
Мир материалов и технологий
Мир электроники
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Мир радиоэлектроники
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир фотоники
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Тег "scanning"
Аналитика #4/2018
Osamu Terasaki, Yanhang Ma, Yuusuke Sakuda, Hideyuki Takahashi, Kenichi Tsutsumi, Shunsuke Asahina, Masato Kudo, Robert W.Corker
Оценка и структурный анализ наноматериалов на сканирующем электронном микроскопе с высоким пространственным разрешением
В сканирующей электронной микроскопии эмиттер испускает пучок электронов, фокусируе- мый электромагнитными линзами в тончайший электронный луч (зонд), который в процессе растрового сканирования облучает поверхность образца. Сигналы генерируются в виде вторичных иотраженных электронов, а также характеристического рентгеновского излучения. Сканирование с нанометровым пространственным разрешением позволяет получать инфор- мацию отопографии поверхности образца, ее составе, кристаллической структуре и химиче- ских связях. Уменьшая энергию первичных электронов, можно минимизировать повреждения образца в результате облучения, а также повысить качество изображения диэлектрических образцов с возможностью выборочного получения информации о поверхности. УДК 53.086; ВАК 05.11.01 DOI: 10.22184/2227-572X.2018.41.4.380.383
Разработка: студия Green Art