Наноиндустрия #2/2018
В.Лучинин
Национальные технологические приоритеты. Алмазная экстремальная электроника
В отличие от других технологических вызовов, российская материаловедческая база обеспечила в настоящее время возможность формирования полностью отечественного инновационного технологического маршрута производства алмазной электроники с ранее недостижимыми энерго-частотными характеристиками, температурными и радиационными условиями эксплуатации. Это стало возможным благодаря постановке в России технологии выращивания крупных синтетических монокристаллов алмаза и разработке процессов получения легированных эпитаксиальных алмазных слоев, в том числе нанослоевых композиций. УДК 621.382, ВАК 05.27.06; DOI: 10.22184/1993-8578.2018.81.2.156.169
Аналитика #2/2015
Т.Ежевская, А.Бубликов, Ю.Пальянов, А.Хохряков
Российские алмазы в ик-фурье-спектрометрии
Научно-производственная фирма "СИМЕКС" (Новосибирск) выпустила приставку НПВО-А (нарушенного полного внутреннего отражения с алмазным элементом) для инфракрасного фурье-спектрометра ФТ-801. В приставке впервые использованы российские монокристаллы синтетического алмаза, выращенные в ИГМ СО РАН на установках высокого давления БАРС. Обсуждаются результаты экспериментов по устранению азотных центров в алмазах с применением геттеров для уменьшения примесного поглощения в ИК-области, приведены фотографии выращенных алмазов и полученных из них элементов НПВО.
Наноиндустрия #5/2011
Н.Зайцев, Е.Горнев, С.Орлов, А.Красников, К.Свечкарев, Р.Яфаров
Наноалмазографитовые автоэмиттеры для интегральных автоэмиссионных элементов
Изучены наноструктурированные алмазографитовые автоэмиттеры для интегральных автоэмиссионных микроприборов. Обнаружена самоорганизация алмазных нанокристаллитов в графитовых и полимероподобных пленках при осаждении в неравновесной СВЧ -плазме паров этанола. Определены режимы раздельного осаждения углеродных структур заданной аллотропной модификации. Изготовлены интегральные автоэмиссионные микроприборы: диоды и триоды с наноалмазографитовыми эмиттерами. Наноалмазографитовые эмиттеры при 1×10-6 Торр и 300К обеспечивают плотность эмиссионного тока около 2 А/см2 и порог эмиссии до 1,5 В/мкм.